2019年12月4日17时10分
世界闻名半导体器材物理学家、微电子学家、
我国科学院院士、电子科大教授陈星弼
因病医治无效
在四川成都去世
享年89岁
陈星弼院士
1931年1月出生于上海
1952年结业于国立同济大学电机系
先后在厦门大学、南京工学院及我国科学院物理研讨所作业
1956年开端在电子科技大学任教
1999年中选我国科学院院士
他是世界半导体界闻名的超结结构（Super Junction）的创造人
该创造被称为“功率器材的新里程碑”
其美国创造专利已被超越550个世界专利引证。
2018年，在功率半导体范畴最尖端的学术年会上，陈星弼院士当选ISPSD首届名人堂，成为国内首位当选名人堂的华人科学家。
因对我国功率半导体范畴的突出奉献，陈星弼先生于1999年中选为我国科学院院士。
因对高压功率MOSFET理论与规划的卓越奉献，他于2015年5月取得IEEE ISPSD大会颁布的最高荣誉“世界功率半导体前驱奖”，成为亚太地区首位获此荣誉的科学家。
2018年5月，因创造的超结器材成为国内首位当选IEEE ISPSD首届全球32位名人堂的科学家。
陈星弼先生是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一，是电子工业部“半导体器材与微电子学”专业第一个博士生导师。
他是世界闻名的半导体器材物理学家、微电子学家，是世界半导体界闻名的超结结构（Super Junction）的创造人，也是世界上功率器材的结终端理论的集大成者。
上世纪八十年代末他提出了两种新的耐压层结构，并作了仅有的三维电场剖析。其间超结结构打破了传统功率器材的硅极限，被世界学术界称为“功率器材的新里程碑”。
2000年今后，陈星弼先生的其它重要创造还包含高K电介质耐压结构、高速IGBT、两种大都载流子导电的器材等。
他宣布超越200篇学术论文和取得授权中美等国创造专利40余项，其间闻名的超结创造专利US 5216275被世界专利他引超越550次，并授权给世界干流半导体公司。
他掌管完结国家自然科学基金要点项目、军事研讨项目、国家“八五”科技攻关项目多项。获国家技能创造奖及国家科技进步奖2项，省部级奖赏13项。
曾任电子工业部第十三所专用集成电路国家级要点实验室学术委员会主任委员、四川省科学技能参谋团参谋等。
我国功率半导体器材领路人
陈星弼与半导体结缘于1958年。
当年，在我国科学院进修的陈星弼被漂移晶体管招引住了，其时他被指派去为计算机做半导体器材的测验。
他以一个科研作业者的天分，灵敏地意识到这一范畴具有极大的研讨价值和开展潜能。不久，他写了第一篇论文《关于半导体漂移三极管在饱满区作业时的贮存时间问题》，这篇论文被美国斯坦福大学教授毕列卡于1967年在《晶体管的电特性》中引证，日本管野卓雄教授在陈星弼宣布论文4年后才宣布了相关问题的论文。
真实让陈星弼走进世界舞台中心，是因为他对“第2次电子革新”的奉献。20世纪90年代初，行业界专家以为，陈星弼的几项创造成为第2次电子革新的打破口，这一立异在十年内将无人能打破。
在这背面，陈星弼的支付是巨大的。
陈星弼决计啃下这块硬骨头，要让仪器不只有了一个“聪明的大脑”，还能做到“四肢发达”，让做开关的功率管可以轻松地直接连到集成电路上。
经过多年的实验，陈星弼经过改动功率管的结构，创造了复合缓冲耐压结构，现称为超结器材。
该技能现已取得美国和我国创造专利。自1998年起，国外已有8家公司在制作。这个办法的工艺被改善后，本钱大大下降，现在已成为一种重要产品，科技成果转化市场规模每年超越10亿美元。
网友：晚辈必定接过您的火炬，代代相传，生生不息
悲痛吊唁并殷切思念陈星弼先生！
陈星弼先生千古！
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